【摘 要】
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本文对正性电子束抗蚀剂ZEP-520低能(0.5kev～2keV)电子束曝光特性进行了系统的研究.利用180nm厚的ZEP-520抗蚀剂,研究了低能范围电子穿透深度及曝光特性与电子束能量的关系.发
【机 构】
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中国科学院物理研究所微加工实验室,北京,100080
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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本文对正性电子束抗蚀剂ZEP-520低能(0.5kev～2keV)电子束曝光特性进行了系统的研究.利用180nm厚的ZEP-520抗蚀剂,研究了低能范围电子穿透深度及曝光特性与电子束能量的关系.发现加速电压在5-20kev之间,ZEP-520抗蚀剂的对比度随加速电压的增加基本保持不变,临界曝光计量(D100)与加速电压成线性关系.同时,研究了不同加速电压对180nm厚的ZEP-520抗蚀剂的加工能力,在10keV-20kev加速电压下得到了线宽小于30nm,周期为80nm的光栅结构.
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