磷掺杂对nc-Si:H薄膜电导的影响

来源 :2000年中国博士后学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：reefstone

【摘要】

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用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的`电导在10-10Ωcm之间,比本征纳米硅样品提高两个数量级.同时改变掺磷浓度可以控制电导的改变.结合磷掺杂纳术硅薄膜的结构,用异质结量子点模型对磷掺杂nc-Si:H薄膜的传导机制进行了解释.

【作者】

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刘明王子欧何宇亮

【机构】

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中国科学院微电子中心(北京) 北京大学微电子所(北京)

【出处】

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2000年中国博士后学术会议

【发表日期】

：

2000年11期

【关键词】

：

磷掺杂纳米硅薄膜薄膜电导率电导激活能

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用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的`电导在10<-1>-10<1>Ω<-1>cm<-1>之间,比本征纳米硅样品提高两个数量级.同时改变掺磷浓度可以控制电导的改变.结合磷掺杂纳术硅薄膜的结构,用异质结量子点模型对磷掺杂nc-Si:H薄膜的传导机制进行了解释.

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