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本文论述了抗辐射VDMOS产品的研制。为提高VDMOS器件的抗γ总剂量辐射要求,在版图设计和工艺设计时考虑了降低影响器件的抗γ总剂量能力的因素,通过抗辐射设计和工艺加固,使得VDMOS器件的抗γ总剂量辐射能力达到3E5rad(Si)。
抗辐射VDMOS的研制
【摘 要】
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本文论述了抗辐射VDMOS产品的研制。为提高VDMOS器件的抗γ总剂量辐射要求,在版图设计和工艺设计时考虑了降低影响器件的抗γ总剂量能力的因素,通过抗辐射设计和工艺加固,使
【机 构】
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航天时代电子公司第七七一所,西安,710054
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年期
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