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首先对各种干法刻蚀技术的原理和特点进行了总结和分析。在此基础上，针对目前作为GaN类材料主要刻蚀方法的ICP刻蚀从理论方面进行了详细的论述。ICP刻蚀对GaN基LED的损伤主要由较高的刻蚀功率、偏压和等离子体密度等引起，这些损伤可导致LED器件性能及可靠性的降低。通过分析损伤形成的机理，寻找出降低损伤的方式，可通过以下4种方式来降低损伤：合理调节刻蚀参数，在保证刻蚀速率的前提下，选择较低的功率、偏压和等离子体密度等;将经过刻蚀的材料在高温条件下退火;对等离子体刻蚀损伤的材料进行湿法刻蚀和在等离子体中处理来降低。