硫化温度对ZnS薄膜晶体结构影响的研究

来源 :第十三届全国正电子谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haha7289

【摘要】

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　　采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn薄膜进行硫化,制备出ZnS薄膜.薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能分别采用X射线衍射仪(XRD)和正电子湮没技术(PAS)、扫描电

【作者】

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宋力刚靳硕学张仁刚张鹏曹兴忠王宝义

【机构】

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中国科学院高能研究所多学科中心,北京,100049;武汉科技大学理学院,武汉,430000中国科学院高能研究所多学科中心,北京,100049武汉科技大学理学院,武汉,430000

【出处】

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第十三届全国正电子谱学会议

【发表日期】

：

2016年8期

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　　采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn薄膜进行硫化,制备出ZnS薄膜.薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能分别采用X射线衍射仪(XRD)和正电子湮没技术(PAS)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱进行分析和表征.结果表明,当硫化热反应温度在410-440℃范围内时,ZnS薄膜的呈现出随温度变化的择优生长现象.随着硫化温度的升高,ZnS薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,可见光范围内的透过率为60％-80％.分析可知,ZnS薄膜的带隙宽度与温度呈线性关系.慢正电子湮没多普勒展宽能谱的测量结果表明,ZnS薄膜在反应热处理过程中产生了阳离子空位型缺陷,而S扩散至薄膜内生成ZnS.

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