晶体硅电池表面钝化技术进展

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guyisun
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,电池表面钝化变得越来越重要。本文介绍了几种晶体硅电池表面钝化方法,包括等离子体增强化学气相沉积氮化硅、等离子体增强化学气相沉积非晶硅、热氧化二氧化硅以及原子层沉积三氧化二铝。从原理上对它们的钝化机理做出一定分析,并介绍了它们在应用上的优缺点。
其他文献
故障现象:通电开机,出现绿屏,后出现黑屏,且有几条绿带在上下移动,无字幕,无伴音。故障原因判断:首先用放大镜观察焊接情况, Symptom: power on, green screen, black scree
双面电池即可以吸收来自正面的太阳光,也可以吸收电池背面的光线,因此增加了电池的榆出功率。本文报道了156 mm×156mm大面积多晶硅双面电池的制备,这种电池采用n+/p结构,即在p型
会议
SiN薄膜具有卓越的抗氧化性和绝缘性能,同时化学稳定性也很好。因此目前硅太阳电池广泛使用PECVD淀积SiN作为减反射膜,SiN中存在大量的H对硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用
会议
采集了香港男性职业司机头发23份,男性大学教师头发20份,年龄在35~45岁之间,测量了发样中的Al、Sb、As、Ca、Cu、Fe、Pb、Mg、Mn、Hg、K、Sr、S、V和Zn的含量,对这组数据做t检验和威尔科克森等级和检验(W检验)。在司机组中
隐蔽型发射极穿孔(EWT)硅太阳电池以其独特的器件结构、较低的成本及较高的电池效率而备受光伏市场的关注。实现EWT硅太阳电池的关键技术是背面pn区域的界定。本文概述了激光
采用实验室工艺制得的太阳电池经Forming Gas退火(FGA)处理后发现太阳电池效率明显提升。经退火后,电池的开压、短路电流及填充因子都有改善。经对比试验和PCID模拟对电池性能
为增强晶体硅太阳电池的光利用效率,提高光电转换效率,本文主要研究了金属银纳米颗粒的光学散射性质。基于银纳米粒子表面等离子激元效应和MIE散射理论,采用Matlab数值计算,理论
会议
本文主要介绍了采用光诱导电镀(LIP)制备太阳电池银电极的方法。通过使用金相显微镜、扫描电镜对样品进行观测,分析对比了丝网印刷与LIP的微观形貌。然后采用丝网印刷做种子层
本文分析了在多晶硅制造工艺中结合RIE(反应离子刻蚀)工艺和高方阻工艺的产业化应用前景。由于RIE制绒工艺可以在多晶体硅片表面制得低反射率的绒面,此种工艺受到了越来越多的
会议
如今,盆栽植物的概念已超出了原来的范围,由室内扩展到室外。在欧美各国,室外盆栽在市场中占据了很大的份额,可广泛用于家庭阳台、天井、小庭院和其他各种室外布置。同时,室