【摘 要】
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本研究以沉澱法製備CeO2 粉末,探討製程溫度對CeO2 粉末特性的影響,實驗結果顯示60℃ 的環境下會產生針狀的CeO2,5℃ 的環境會產生片狀的CeO2.XRD 分析圖譜觀察,可得知皆為純相CeO2.經過1000℃ 持溫6 小時下燒結的片狀CeO2 燒結密度為93.3％；經過1000℃ 持溫6 小時下燒結的片狀CeO2 燒結密度為87.4％.由圓錠之SEM 圖可以觀察得知,片狀和針狀CeO2
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本研究以沉澱法製備CeO2 粉末,探討製程溫度對CeO2 粉末特性的影響,實驗結果顯示60℃ 的環境下會產生針狀的CeO2,5℃ 的環境會產生片狀的CeO2.XRD 分析圖譜觀察,可得知皆為純相CeO2.經過1000℃ 持溫6 小時下燒結的片狀CeO2 燒結密度為93.3％；經過1000℃ 持溫6 小時下燒結的片狀CeO2 燒結密度為87.4％.由圓錠之SEM 圖可以觀察得知,片狀和針狀CeO2 圓錠其形貌在1000℃ 持溫6 小時下,顆粒間已有緻密化產生,因此片狀CeO2 適合做SOFC 之電解質材料.由SEM 和TEM 分析針狀CeO2,發現60℃ 的環境下所製備的針狀CeO2 可用於SOFC 陰極的複合材料之一.
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利用固態反應法合成鍺酸鑭基(La10-xGe6O27-1.5x,x = 0、0.25、0.5、0.75、1)電解質,觀察各成分點晶體結構與導電率之關係.實驗結果顯示：(1)1200℃/3 h 可使5 個成分點順利合成出單一相.(2)透過同步輻射鑑定,發現成分點x = 0、0.25 在2 theta =21°-24°繞射峰數目增加,表示對稱性產生改變.(3)以Rietveld method 精算晶格
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本研究主要是探討以噴霧熱解(spray pyrolysis)製備錳/鎳氧化物複合粉體並利用電泳沉積法(electrophoresis deposition)將粉體披覆上發泡鎳基材上，再進一步探討其擬電容性質。調配噴霧熱解先驅液中錳及鎳的莫耳比例，進行噴霧熱解製備複合粉體；接著將粉體以電泳方式將所製備出的粉體披覆在發泡鎳基材上。隨著錳及鎳在先驅液中所佔比例的不同，結晶性及表面形貌變化對於電性測試的影
在此研究中,利用高比表面積之類立方體與六方雙錐狀之氧化鐵在532 奈米之綠色可見光雷射照射下來進行光催化水分解.並以簡易之水熱法控制過飽和濃度來達到製備兩種不同形貌與不同面相之氧化鐵奈米顆粒.在進行光催化反應時,雖然氧化鐵本身有許多優點並擁有能吸收可見光之低能隙.但其吸收率較差、載子壽命較短與很短的載子擴散長度卻會大大的限制其光催化效率.為了克服氧化鐵之限制,本研究由奈米顆粒量子侷限效應做為理論基
本研究是利用一種新型Sn-Ag-Cu-Ti(SACT)活性銲料，可在無須助焊劑、不需預先金屬化處理及不需保護性環境下，在接合溫度250℃將微弧氧化處理形成一層Al2O3陶瓷層之6061 鋁直接活性接合於6061 鋁上，並以掃瞄式電子顯微鏡(SEM)、EDS進行接合界面顯微組織及破斷面等特性分析。實驗結果顯示：6061 鋁/銲料之界面處形成一層Al-Sn 層；在MAO-6061 鋁/銲料側發現到Ag
本研究從添加燒結助劑以及降低燒結溫度兩方面探討氮化鋁奈米陶瓷之熱導率,並觀察氮化鋁陶瓷因晶粒奈米化在熱導特性上的表現有何不同.實驗使用粒徑約100 nm的氮化鋁粉末為主原料,並添加Y2O3 作為燒結助劑,在1400℃持溫4 小時進行燒結.在試片分析方面利用熱傳導係數分析儀(Hot Disk)進行熱導(K)與熱擴散(α)測量,掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察材料表面形貌,X 射線繞射儀(XRD)與拉曼
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鎵氧化鋅(GZO)為新穎的半導體材料，應用於透明導電薄膜。在溶膠-凝膠旋塗製程中，為提升薄膜的均勻性，勢必要避免粉體於水系懸浮液中團聚，為改善此現象，在本研究將添加具不同官能基之高分子型分散劑，先以粒徑分析，探討鎵氧化鋅與各水系分散劑間穩定能力，再選出適當之分散劑，以流變儀進行分散劑對水系懸浮液流體性質之分析，使獲得最佳分散劑與其用量之資訊。
本研究採用富含碳酸鈣的天然礦物石灰石及研磨大白石作為前驅物,透過氧化鈣與碳酸鈣之間的碳酸化/煅燒程序進行循環捕獲,製備出具有高效能且穩定性佳之中高溫二氧化碳捕獲劑.本研究主要分為兩部分,第一部分：將已酸化之粉體以不同Al3+/Mg2+莫耳比例進行結構及捕碳效能改善,並以XRD 及SEM 觀察其結構及形貌之改變；在中溫450℃ 進行二氧化碳捕獲時,Al3+/Mg2+莫耳比例為0.25：0.75 之樣
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