Si基SiGeC合金生长中C对Ge组分的影响

来源 :第十二届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shajia0902

【作者】

：

刘夏冰朱顺明程雪梅韩平罗志云郑有矣

【机构】

：

南京大学物理系

【出处】

：

第十二届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

1999年12期

【关键词】

：

Si基 SiGeC合金合金生长 C Ge组分

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

(MeN)[M(dmit)(SPh)]配合物的PM3结构计算和热稳定性研究

作者近期通过簇合物裂解法合成了二硫纶配合物(MeN)[M(dmin)(SPh)](M=Cd(1)and Zn (2),dmin=1,3-dithiole-2-thione-4,5-dithiolate,SPh=thiophenolate).这类混合配体配合物显示了较好的三阶非线性光学性质,并具有较好的光限制效应.配合物1的晶体结构测定表明Cd(Ⅱ)—S(thiophenolate)的键长比Cd(Ⅱ

会议

量子化学配位化学二硫纶配合物晶体结构热力学

土壤淋溶柱色谱的保留方程和logk'-S相关

淋溶的研究通常是采用实验室的Iysineter装置进行，但实验周期长、成本高。作者采用将土壤直接填装成液相色谱柱，甲醇－水为流动相使淋溶时间显著缩短，再外推到纯水流动相的容量因子(K，将有助于快速了解淋溶过程的测定淋溶时间。在该文中，主要讨论了－色谱模式的基础－保留值规律。

会议

土壤淋溶液相色谱柱地下水源污染

PSA法脱除天然气C以上烃类中的色谱分析

从天然气中脱除C以上烃类的主要目的是：(1)提高甲烷含量以满足生产甲烷氯化物、二硫化碳等下游产品的需要；(2)分离出乙烷、丙烷及轻烃，进一步综合利用，提高经济效益；(3)在工况温度下压力下，使润湿气的露点可以满足管道输送要求等等。天然气组分浓度变化宽，通过CH的体积分数在70℅～98℅之间，实验选用天然气组分C含量高，同时含有N，CO等组分。因PSA法脱除过程中气源浓度变化范围大，用一般的方

会议

天然气色谱分析

类钙钛矿化合物Ca(MnCu)MnO的磁电阻效应

在常压和较低温度(1073K)下利用溶胶-凝胶法制备了成分为Ca(MnCu)MnO的化合物,X射线衍射图表明当x≤1.5时化合物呈单一钙钛矿相.所有样品均未观测到金属-绝缘体转变,但随成份的改变有反铁磁-铁磁转变发生.它们的磁电阻随温度呈线性变化系.对x=1.5的样品,在77K和3T磁场下的磁电阻可达37％.

会议

磁电阻钙钛矿相溶胶-凝胶法

a-Si:H/SiO多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶

利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-Si:H子层形成,且尺寸可以精确控制.

会议

脉冲激光多层膜限制结晶

高温超导体SmBaCuO的临界电流

测量了交流磁化率与温度,磁场的关系,用扩展的临界态模型求出了温度和磁场对SmBaCuO的临界电流密度的影响.

会议

交流磁化率临界电流密度高温超导体

Nd:YAlO双波长调Q脉冲激光腔内倍频的研究

本文构建了晶体双波长调Q激光腔内倍频的速率方程,通过数值求解,分析了不同腔长条件和倍频耦合条件对双波长脉冲激光时间特性和输出光子数的影响,通过仔细调整腔长和倍频耦合几何因子,理论上获得了均衡的红绿双波长调Q脉冲激光输出.