MoTe2中第二类Weyl费米子的实验观测

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a2622139
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  由于其特殊的磁输运性质和表面拓扑保护的费米弧,以及沿某一特殊方向Lorentz 对称性的破缺,第二类Weyl 费米子自从被提出后就引发了广泛的关注。我们结合角分辨光电子能谱(ARPES),扫描隧道谱(STS)和第一性原理计算方法,首次从实验上证实了Td 相的MoTe2 是第二类Weyl 半金属。
其他文献
单层的过渡族金属硫族化合物(TMD)近年来受到广泛的关注。在这类材料体系中,自旋、能谷以及层指数等自由度互相耦合,为我们提供了调控这类材料的多种潜在的手段,在电子学、光电子学以及自旋电子学器件中具有重要的应用潜力。在这篇报告中,我们首先报道一类新的单层TMD 材料——PtSe2 薄膜的生长及表征,结合角分辨光电子能谱测量以及第一性原理计算,我们发现PtSe2 从单层向多层过渡时会有一个半导体—半金
Nonlinear effects in two-dimensional(2D)atomic layered materials have recently attracted increasing interest.Phenomena such as nonlinear optical edge response,chiral electroluminescence,and valley and
在SrTiO3 衬底上生长的单层FeSe 薄膜(1uc-FeSe/STO)拥有远高于体相的超导转变温度[1-2],这吸引了人们广泛的研究兴趣。大量的研究表明,SrTiO3 衬底与FeSe 的界面耦合对超导的增强有着非常重要的作用[3-6],但是这种界面耦合的微观图像并不清楚。我们利用高分辨的电子能量损失谱对1uc-FeSe/STO 进行了研究。
石墨烯是当下很有潜力的场效应晶体管和非易失存储器的通道材料,它具有很高的载流子迁移率,但由于它是没有带隙的半金属材料,还没有得到很好的应用。通过吸附铁电聚合薄膜材料(偏二氟乙烯 PVDF)已经可以实现调高其开关比率,但是原理还没有弄清。为了更好地弄清其微观机制,我们采用密度泛函理论,对PVDF/单层(双层)石墨烯异质结进行系统性的研究。
会议
钛酸锶衬底上生长的单层铁硒薄膜具有远高于体相铁硒的超导转变温度。研究表明这与薄膜内的载流子浓度密切相关。我们利用有机分子与铁硒薄膜之间的电荷转移效应,调控铁硒薄膜的载流子浓度,并借此影响薄膜的超导性质。实验中,我们利用分子束外延系统在钛酸锶衬底上生长了的铁硒薄膜,并在其上沉积了不同类型的分子。
单层六方氮化硼(hBN)是一种重要的宽能隙二维绝缘体。然而关于单层hBN 的能隙大小,能隙是否直接等问题至今仍无定论。在金属表面外延生长的二维材料上沉积碱(土)金属可引入强电场。其引发的栅极效应1,2(或场效应3)可以使二维材料能带产生相对费米能级的移动。角分辨光电子能谱(ARPES)将能够探测到更丰富的电子结构。
利用第一性原理的方法,通过DFT 计算,研究了二维过渡金属四氮杂卟啉(2D TMPz)薄膜的自旋电子学性质.基于vasp 模拟软件,首先通过MD 模拟和声子谱计算,证明了薄膜结构的稳定性,进而计算了一系列TMPz 薄膜的电子结构、能带以及磁耦合等性质.其中,FePz 薄膜具有最稳定的长程铁磁序,磁交换能为85meV.
紫外曝光和电子束曝光等所用传统掩膜一般都平铺在基底上.当用反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等干法刻蚀方法对基底进行刻蚀的时候,气体的轰击作用会使掩膜面积缩小,掩膜边缘损坏,变得粗糙不平1,2,3.这不仅会导致刻蚀出来的样品陡直度降低,还会导致样品形状变形,出现侧壁条纹等现象4,5.
利用电击穿法制备固体纳米孔1,在盐溶液中用高电场击穿 SiNx 膜,制备出的固体纳米孔最小直径在 2 nm 左右,并且可以根据需要制备直径 2 nm 以上任意大小的纳米孔.纳米孔检测技术的优势很多2.首先,纳米孔检测的原理很简单,并且具有普适性,任何生物分子都可以用纳米孔检测技术来实现快速无标记检测.
在过去几十年里,各种纳米结构的研究及制备受到了极大的关注,如纳米线、纳米管、纳米环、分枝状原子凝聚体等。在实验领域,通过精确控制生长条件(如沉积速率、基底温度、沉积厚度等),一维纳米结构可以在晶体表面、分子模板等固相基底上制备。由于沉积原子凝聚的随机性,在各向同性基底表面很难生长一维纳米结构。