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HO[*+*]离子在Ⅱ—Ⅵ族半导体中的发光行为基本没有系统地研究过，另外，硫化锌是宽禁带半导体化合物，ZnS∶RE[*+*]有可能成为有效多色的发光材料。为此，该文采用了不同温度下的各个能级荧光衰减，较全面地研究了ZnS∶H[*+*]的光谱特性，为该材料的应用提供了一定依据。该文重点介绍了三方面，第一部分谱线的鉴别，分别用N[*V2*]激光器的3371A，高压汞灯的3650A谱线激发，测量了ZnS∶HO[*+*]样品在室温和77K温度下的发射光谱。第二部分是带边激发下的发光特点。第三部分是多声子弛豫。跃迁是由辐射跃迁和无辐射跃迁组成，其中无辐射跃迁与温度有关。同时研究了HO[*+*]离子在ZnS基质中的多声子弛豫过程。（韩理洁摘）