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本文介绍采用固体组合雪崩开关技术及高速触发控制等快电子学技术,实现在许多研究领域中所需要的纳秒级快前沿、大幅度、宽脉冲的快信号源。
1kV纳秒场效应管脉冲源
【摘 要】
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本文介绍采用固体组合雪崩开关技术及高速触发控制等快电子学技术,实现在许多研究领域中所需要的纳秒级快前沿、大幅度、宽脉冲的快信号源。
【机 构】
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中国工程物理研究院五所
【出 处】
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四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十一届学术年会
【发表日期】
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2003年9期
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本文设计了一种包含温度和工艺补偿的振荡器.通过改进振荡器内部的偏置电路为振荡器提供温度与工艺的补偿.同时通过在振荡器后端加上延迟电路,可产生芯片中需要的窄脉冲.典型