【摘 要】
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利用金属有机气相沉积(MOCVD)生长了InGaAsN量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化(PAO)技术制作了脊型波导半导体激光器.制作的条宽为100μm,腔长为1500μm的激光器在室温下可实现最高962mW的单面连续功率输出,阈值电流密度约为256A/cm2.在1.5A电流下,激光器的峰值波长为1297nm,最大斜率效率为0.42W/A.在20～80℃温度下,激光器的特征温度为138K.激
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
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利用金属有机气相沉积(MOCVD)生长了InGaAsN量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化(PAO)技术制作了脊型波导半导体激光器.制作的条宽为100μm,腔长为1500μm的激光器在室温下可实现最高962mW的单面连续功率输出,阈值电流密度约为256A/cm2.在1.5A电流下,激光器的峰值波长为1297nm,最大斜率效率为0.42W/A.在20～80℃温度下,激光器的特征温度为138K.激光器在100℃下可以正常工作.
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高功率主振荡功率放大(MOPA)激光系统的光束质量取决于前端种子光的性能,而高质量种子光的获取取决于前端光学设计和有效的准直方法XeCl属于高增益介质,为有效抑制预放大器的放大自发辐射(ASE),要求前端提供较高的能量.描述了一种"一体化自放大"前端,振荡器主体为一台放电抽运XeCl准分子激光器,光栅自准直腔用于产生窄线宽、近衍射极限激光输出,利用该振荡器再进行双程放大形成最终的前端输出.自准直谐
推导了非稳态情况下固体激光器的输出光强表达式,在此基础上数值模拟了钕玻璃热容激光器的增益性能.分析表明,高抽运光强可使激光器工作在高提取效率范围;介质大的发射截面、高长径比则可以大大减小激光器的阈值能量;温度的影响在高抽运光强时不明显.另外,由于温度和热容激光器脉冲串输出方式的影响,总脉冲串输出能量在腔镜透射率上也将有一个优化值.
为了诊断高功率、大口径光束的质量,设计搭建了一套光束衰减压缩系统,用以实现大口径高功率激光光束的大比率衰减和x,y方向上的二维压缩,从而在常规光束质量诊断仪器如PyrocamⅢ等上进行诊断.该系统能将光束平均功率衰减104倍,二级压缩系统可以对光斑口径实现16倍的压缩比.使用LightTools对该压缩系统在强CO2激光辐照下的行为进行了模拟,结果表明该方法是一种简单、准确的变换方式,能够有效地实
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对毛细管放电产生类氖氩46.9nm激光进行了实验研究,发现毛细管放电装置中布鲁姆林传输线所产生的固有预脉冲对软X光激光的产生及稳定输出都有十分不利的影响.在理论上,用雪耙模型计算并证明了固有预脉冲对毛细管均匀预电离的破坏作用,而在主电流脉冲到来之前能否均匀地预电离毛细管所充气体是能否产生激光的关键条件.为了消除固有预脉冲的影响,使用了外加隔离开关和隔离电容对装置进行改进.实验证明,该方法能够有效隔
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