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主要内容一、研究背景二、甚长波阻挡杂质带红外探测器三、GaAs掺杂BIB红外探测器一、研究背景红外辐射是波长主要位于微米波段的电磁辐射,按波长可分为:短波、中波、长波和甚长波红外辐射.黑体辐射谱1000K以下的黑体主要辐射红外光红外辐射及探测技术的主要应用领域:与大气窗口对应的主要光子型红外探测器:二、甚长波阻挡杂质带(BI B)探测器GaAs(Te):30-300μm 应变Ge(Ga): 70-200μm Ge(Ga): 40-70μm Si(Sb): 20-40μm Si(As): 10-25μm 响应波长(μm) N型BIB在反向偏压下能带结构示意图和电场分布图三、GaAs掺杂BIB探测器Prof.Eugene Hailer, University of California, Berkele器件的结构:制备方法:液相外延GaAs阻挡层的电学参数GaAs:Te吸收层的电学参数1.3K时器件的光电导谱