【摘 要】
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本文成功制备了高非线性、低介电损耗的CaCu3Ti4O12/Y2/3Cu3Ti4O12复相陶瓷.其中1100℃烧结的YCCTO-0.8试样,非线性系数和电位梯度分别可达到9.88和11.24kV/cm,104-105Hz范围
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安 710049
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会电压敏学部第二十一届学术年会
论文部分内容阅读
本文成功制备了高非线性、低介电损耗的CaCu3Ti4O12/Y2/3Cu3Ti4O12复相陶瓷.其中1100℃烧结的YCCTO-0.8试样,非线性系数和电位梯度分别可达到9.88和11.24kV/cm,104-105Hz范围内介电损耗值约0.02,远优于常规CCTO陶瓷的非线性系数2-6、电位梯度1-2kV/cm及介电损耗0.1-0.8.复阻抗谱分析表明,随YCTO含量的增加,试样晶界电阻和晶界势垒升高,并在试样YCCTO-0.8时达到最大,其晶界电阻和势垒高度分别为1200MΩ和1.5eV,远高于CCTO陶瓷的55.5MΩ和0.66eV.YCCTO-0.8样品的低损耗和高非线性可归因于晶界电阻增加和晶界势垒的升高.
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