论文部分内容阅读
本文介绍了使用EB-PVD法制备的Si膜性能,如膜-基结合强度、残余应力、孔隙率等.研究发现,只有当衬底温度在优化温度范围内时,膜-基系统才有优良的抗热震性及膜-基结合强度,硅膜晶体结构为柱状晶.衬底温度过高或过低都不利于膜-基系统性能的提高.但当温度比较高时,硅膜的孔隙率可能下降,却会增加膜-基系统中的残余应力.对硅膜性能影响较大的因素还有衬底表面光洁度等.