【摘 要】
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金属有机化学气相沉积(metalorganic chemical vapor deposition,MOCVD)技术是生成薄膜的一种气相外延技术,利用该技术制备薄膜过程中涉及多组分、多相的化学反应.为了得
【机 构】
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苏州新材料研究所有限公司,苏州215123
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金属有机化学气相沉积(metalorganic chemical vapor deposition,MOCVD)技术是生成薄膜的一种气相外延技术,利用该技术制备薄膜过程中涉及多组分、多相的化学反应.为了得到高性能的超导膜,各元素的组成需要精确控制,而化学源中微量杂质可能影响超导膜的性能.本文主要考察化学源中痕量铁、钴、镍、铬、锰、钛、锶、钼等的测试方法.通过共存元素的干扰实验,选择无干扰和干扰可忽略不计的谱线为最佳分析波长.Y(tmhd)3中选择Cr (425.433nm)、Mn (403.076nm)、Ni(351.505nm)、Mo(379.825nm)、Co(340.512nm)、Sr (371.993nm)、Fe (213.857nm)作为元素分析谱线,经过基体匹配,回收实验、精密度的考察,建立了微波等离子体原子发射光谱(MP-AES)用于MOCVD化学源中痕量杂质的方法.
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