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5. Quasi-white light emission from the m-plane n-ZnO/AlN/p-Si heterojunction

Quasi-white light emission from the m-plane n-ZnO/AlN/p-Si heterojunction

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zgb99

【摘 要】

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Non-polar,semi-polar,and polar ZnO thin films can be well controlled to epitaxially grow at 200 ℃ on different substrates such as p-Si(111),p-GaN,and sapphire substrates by atomic layer depositionby i

【作 者】

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Hao Wu Chao Chen Ti Wang Ying Lin Chang Liu 

【机 构】

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Key Laboratory of Articial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics

【出 处】

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中国物理学会2015年秋季会议

【发表日期】

：

2015年7期

【关键词】

：

Times New Roman Heterojunctions wide bandgap semiconductors non-polar LED atomic 

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　　Non-polar,semi-polar,and polar ZnO thin films can be well controlled to epitaxially grow at 200 ℃ on different substrates such as p-Si(111),p-GaN,and sapphire substrates by atomic layer depositionby introducing different interlayers of Al2O3,or InGaN or AlN or even none.

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