高频声表面波滤波材料及器件的研究

来源 :2002年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:edcujmtgb
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在128°Y X LiNbO<,3>基片上,采用纵向谐振耦合换能器结构设计并制备出920MHz高频声表面波滤波器,研究了换能器厚度对器件性能的影响,器件插入损耗小于12dB,带外抑制优于35dB.
其他文献
本实验采用平均颗粒大小分别为110nm和30μm的SiC粉利用Nd-YAG脉冲激光对铝合金表面进行陶瓷复合化处理.经扫描电镜、能谱、电子探针、X射线衍射及显微硬度测试表明:110nmSiC粉形成复合涂层与基材间为冶金结合,该纳米级SiC粉在其复合涂层中形成较均匀分布,该厚度约200~300μm复合涂层的形成使铝合金表面显微硬度提高大约2倍,涂层表面及内部可见近圆形孔洞存在;30μmSiC粉形成复合
本文研究了热处理对Ti-25V-15Cr-2Al-0.2C-x(x=0;2﹪Mo;2﹪Nb;0.2﹪Si)阻燃β钛合金中α相析出行为的影响.结果表明,固溶处理后空冷不能抑制α相析出,其析出数量随固溶温度的升高而增加;高温固溶处理后直接时效将导致α相在β晶界和晶内的大量析出,若时效前进行低温固溶处理则可有效抑制α相的析出.
用中频熔炼-半连续铸锭技术制备了Cu-Zn-(Cr,Zr)合金铸锭,铸锭经均匀化处理后,热挤压成材并随即进行水淬,之后进行45﹪的冷拉变形.冷拉材在不的时效工艺下时效并测定力学、电学和热学性能.研究结果表明:合金的强度、伸长率、电导率和热导率随时效温度呈规律性的变化,研究合金挤压-固溶-冷拉后在450℃时效4h可以获得较好的综合性能;时效过程中合金依次发生回复、再结晶和析出过程,合金的拉伸性能、电
应用改进分析型嵌入原子模型,本文系统计算了LlNiAl的基本物理性能,包括晶格常数、弹性常数、声子谱、态密度、热容、德拜温度和线膨胀系数等,并将计算结果与已有实验数据和其他理论计算结果进行了比较.本文计算所得声子谱相对于其他理论计算结果而言,与试验试验值的符合程度更好;但本文计算的热膨胀系数稍有偏高.总的来说,只需考虑合金组成元素的性质,未涉及合金本身性质的改进分析型嵌入原子模型成功地描述了LlN
研究了热处理状态和变形量对不同Ni/Fe比粉末冶金高密度钨合金力学性能的影响规律.结果表明:烧结后缓冷条件下,9/1镍铁比钨合金的力学性能显著低于7/3镍铁比钨合金;固溶急冷条件下9/1镍铁比钨合金的综合力学性能全面大幅度优于7/3镍铁比钨合金.9/1镍铁比钨合金烧结后缓冷时合金的黏结相中及钨与黏结相界面上都有非弥散相析出,严重危害合金的力学性能;固溶急冷热处理工艺能够抑制β相在黏结相中沉淀析出,
利用高能球磨分别对三种配比W/Cu15(质量比,Cu含量15﹪)、W/Cu25、W/Cu35的复合粉末进行了球磨.通过扫描电镜和X射线衍射以及粒度分布技术观察和分析了超细颗粒的形貌和尺寸.对于W/Cu15球磨10h时,颗粒形貌为片状;球磨30h,颗粒形貌趋向球状.此时复合颗粒尺寸经测定在3μm左右,晶粒尺寸经计算达到纳米级.X射线衍射谱中,Cu的衍射峰逐渐消失,而W的衍射峰逐渐宽化并且强度下降.这
通过测定热挤压态和固溶态AZ31镁合金的蠕变曲线及位错运动的内摩擦力,结合组织形貌的TEM观察,研究了在两种处理状态下AZ31镁合金蠕变行为.结果表明:蠕变期间的位错运动的内应力,有较强的温度敏感性,在低于250℃条件下,合金有较高的内应力,热挤压变形合金的内应力值小于固溶态合金的内应力值,因此强化效果后者优于前者.在高于300℃条件下,内应力值明显下降,两种状态合金的强化作用基本消失,内应力趋于
本文研究了挤制镁合金AM60经过轧制后组织和性能的变化.实验发现:轧制后晶粒得到细化,强度显著提高,韧性下降.沿纵轴方向出现大量等轴孪晶组织,而在横向原来的孪晶组织消失.孪晶组织对性能有重要的影响,存在大量孪晶组织的方向,其抗拉强度明显低于其他方向.轧制AM60的疲劳裂纹扩展速度(FCPR)明显的高于原始的挤制态,而且其纵向的疲劳裂纹扩展速度明显的高于横向.组织不均匀性引起的裂纹分叉和粗糙度诱发的
本文报道了挤压铸造56﹪(体积分数)碳化硅颗粒强化AZ91镁合金复合材料的力学性能和三体磨粒磨损行为.力学性能检测表明,碳化硅颗粒的加入大幅度提高了材料的弹性模量、弯曲强度和硬度,断裂韧性为8.53MPa·m,与高性能EA55RS镁合金相当.三体磨粒磨损试验及磨损行为观察表明,该材料的G75-89ASTM磨粒磨损行为优越,抗磨损能力是AZ91基体合金的10倍,是Du-ralcan6061/AlO/
利用直流磁控溅射方法,以Ar/N作为放电气体,在Ar流量一定的情况下(47.3sccm),通过改变N的流量(分别为0、2.5、5.4、20.1和47.3sccm),从而在不同氮气分压下,在玻璃衬底上沉积了FeN薄膜.分别用X射线光电子能谱方法(XPS)及X射线衍射方法(XRD)分析了不同N分压下(F)薄膜的成分及薄膜结构:当F=5﹪时获得了FeN化合物相;F=10﹪时为ε-FeN相;F=30﹪及5