【摘 要】
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在成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm N/O(SiN/SiO) stack栅介质的基础上,深入研究了其性质.我们的研究发现,同样EOT的N/O stack和纯SiO栅介质比较,前者对应MOS电容在抗B穿通,栅隧穿漏电流,可靠性方面都远优于后者对应的MOS电容,这说明了N/O叠层栅介质的优势.
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
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在成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm N/O(Si<,3>N<,4>/SiO<,2>) stack栅介质的基础上,深入研究了其性质.我们的研究发现,同样EOT的N/O stack和纯SiO<,2>栅介质比较,前者对应MOS电容在抗B穿通,栅隧穿漏电流,可靠性方面都远优于后者对应的MOS电容,这说明了N/O叠层栅介质的优势.
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