【摘 要】
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采用垂直沉积法成功制备了SiO2光子晶体薄膜.以SiO2光子晶体薄膜做模板,采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO2-ZnO复合光子晶体.利用扫描电子显微镜观察了SiO2光子晶体
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,教育部磁学与磁性材料重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(60576013,60536010,J0630313);甘肃省自然科学基金(096RJZA054)资助项目
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采用垂直沉积法成功制备了SiO2光子晶体薄膜.以SiO2光子晶体薄膜做模板,采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO2-ZnO复合光子晶体.利用扫描电子显微镜观察了SiO2光子晶体模板及不同沉积时间所制备的SiO2-ZnO复合光子晶体薄膜形貌.研究发现,当沉积时间较短时,ZnO颗粒随机生长在SiO2微球表面.随着沉积时间的延长,ZnO颗粒均匀地生长在SiO2微球表面,以至于ZnO颗粒完全掺入模板的间隙.对所制备的光子晶体薄膜进行反射谱测量,发现在膜法线方向上,光子晶体薄膜有光子带隙的出现.
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