【摘 要】
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石墨沉积碳化硅基座是在晶圆(wafer)表面沉积半导体薄膜材料的过程中,用以承载晶圆的部件,主要用于金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition,
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石墨沉积碳化硅基座是在晶圆(wafer)表面沉积半导体薄膜材料的过程中,用以承载晶圆的部件,主要用于金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition,简称MOCVD)设备中。该产品的基体材料为高纯石墨,表面有一层厚度约110μm±15μm的致密碳化硅膜层,该膜层通过化学气相沉积(Chemical Vapor Phase Deposition,CVD)工艺获得,其作用是避免在高温条件下因石墨基体放气而造成对晶圆的污染,并提高石墨基体的抗热震性、抗氧化性、机械强度和抗化学气体腐蚀性。本研究采用选用了一种高致密度、高纯石墨作为基体,其热膨胀系数接近碳化硅;采用一甲基三氯硅烷(CH3Si Cl3,简称MTS)为气源,H2为载气,在一定炉压、温度等工艺参数条件下,在石墨基体表面生成了高纯、致密均匀、无缺陷的碳化硅膜层,并对膜层的微观结构、化学成分和膜层质量进行了观察、分析和评价。
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