【摘 要】
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本文采用碳布叠层预制体,以HMDS(Hexmethyldisilazane)为前驱体应用强制流动热力学梯度化学气相渗透工艺(Forced-flow Thermal Gradient Chemical Vapor Infiltration,FCVI)
【机 构】
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中国科学院研究生院中科院上海硅酸盐研究所(上海)
【出 处】
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中国空间科学学会空间材料专业委员会2004学术交流会
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本文采用碳布叠层预制体,以HMDS(Hexmethyldisilazane)为前驱体应用强制流动热力学梯度化学气相渗透工艺(Forced-flow Thermal Gradient Chemical Vapor Infiltration,FCVI)制备C<,f>/SiC复合材料,通过XRD分析,发现在1100℃时渗透沉积的基体为无定型SiC.结合化学分析和XRD的结果,认为复合材料的基体中杂质相为游离C和Si<,3>N<,4>.通过热处理发现,在1300℃处理温度下基体明显晶化.通过对复合材料中碳纤维的断裂形貌的观察分析,认为未经界面处理的复合材料中,纤维与基体间属强界面结合.通过TEM对基体形貌和衍射的分析认为,渗透沉积的基体为纳米多晶体.
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