硅异质结太阳电池具有高转换效率、低温度系数等优点,又因其对称结构、工艺简单、低温工艺的特点,兼顾了成本与效率,因此在近些年引起了学术研究和产业界的广泛关注。为了获得高效硅异质结太阳电池,一方面需要高质量的非晶硅(a-Si:H)层是降低界面复合速率来获得高开路电压,另一方面通过降低入光面非晶硅层的寄生吸收可以有效的提升电池短路电流。电池采用厚度180μm,硅片面积为242.5cm2的n型硅片。硅片在经过制绒、RCA清洗工艺后,使用PECVD沉积非晶硅层,接着使用PVD沉积双面ITO薄膜,最后通过丝网印刷制备银电极,完成电池的制备。实验分为A,B,C三组,A,B组双面本征非晶硅层沉积压力分别为60Pa,90Pa,功率密度为45mw/cm2,C组实验条件为入光面n面本征层沉积压力60Pa,p面本征层沉积压力80Pa,功率密度为45mw/cm2,三组实验本征层厚度均为10nm。通过对比A,B组实验我们发现,工艺A制备的电池JSC较高但VOC及FF较低,寄生吸收少但钝化效果较差。而工艺B制备的电池具有较高的VOC以及FF但JSC较低。对硅异质结电池,p-n结面本征层对本征非晶硅层钝化质量尤为敏感,而入光面本征非晶硅层则需要较少的寄生吸收来提升电池电流。通过QE测试结果,我们发现通过工艺A制备的电池QE在短波段有明显提升,减少了寄生吸收,而少数载流子子寿命结果证实了工艺B具有更好的钝化效果。因此,我们对n面本征层使用工艺A,在p面本征层使用工艺B,制备出电池为条件C,既得到了较高的电流又保证了电池钝化质量,最终制备出的电池最高效率达23.47%。