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用PECVD法通过改变[NH3]/[SiH4:N2]流量比沉积了SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)及反射谱对氮化硅薄膜特性进行了研究,并获得了沉积氮化硅后硅片高寿命,高折射率、氢含量高钝化效果好、反射率低的工艺条件.
多晶硅太阳电池PECVD沉积氮化硅薄膜研究
【摘 要】
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用PECVD法通过改变[NH3]/[SiH4:N2]流量比沉积了SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)及反射谱对氮化硅薄膜特性进行了研究,并获得了沉积氮
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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