【摘 要】
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本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了碳热还原反应生成的立方碳化硅(β-SiC)纳米线,结果表明在碳化硅纳米线中沿[111]生长方向存在大量的一维无序结构(ODD),并与3C结构交替生
【机 构】
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北京工业大学固体微结构研究所,北京,100022
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本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了碳热还原反应生成的立方碳化硅(β-SiC)纳米线,结果表明在碳化硅纳米线中沿[111]生长方向存在大量的一维无序结构(ODD),并与3C结构交替生长.我们通过选区电子衍射图及高分辨照片,对ODD结构进行了分析,发现了两种无序结构,一种为完全无序结构,另一种为小有序体的无序堆垛结构,并分析了这种小有序体的结构.
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