【摘 要】
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辐射偏置条件是影响MOSFET总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10keV X射线对PMOSFET在不同偏置条件下进
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州510610
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辐射偏置条件是影响MOSFET总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10keV X射线对PMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响。实验结果表明,对于PMOSFET而言,低剂量条件下,ON偏置条件是最优偏置条件,PG偏置条件是最劣偏置条件，在高剂量条件下,ON偏置条件是最劣偏置条件,ZERO偏置条件是最优偏置条件。
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