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Orbital dependent antiphase gaps in(Li1-xFex)OHFeSe by STS/STM
【机 构】
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National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics,Collaborative,Innovatio
【出 处】
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中国物理学会2016年秋季会议
【发表日期】
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2016年5期
其他文献
Coutts T.J.[1]等人为了获得具有良好光学和电学性能的TCO薄膜做了大量努力,发现若是通过增 加载流子浓度来提高电导率则会导致薄膜透过率的降低.Drude电子模型证明,只有提高迁移率,才能 在不降低透过率的同时提高电导率.另外,Parthiban S等人[2]证明减少载流子浓度可以在不降低电导率 的情况下提高透过率.
室温下，利用射频磁控溅射技术在 p 型硅衬底和玻璃衬底上，不同氧分压下制备了厚度约为200nm 的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜，利用椭圆偏振光谱技术［1］表征了 ITZO 薄膜的光学特性，通过霍尔测试表征了 ITZO 薄膜的电学特性(如图 1 示)，通过对 比研究了溅射过程中氧分压的不同对 ITZO 薄膜结构和光电性能的影响。
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Highly Sensitive Room Temperature Graphene-based Sub-terahertz Photoconductor via Electromagnetic Ga
Generating electron-hole pair through photon absorption is routinely the photodetection process promoting widespread applications ranging from security to human life.Recently,exploiting terahertz(THz)
会议
The thermodynamics of Na and K incorporation and its effects in Cu2ZnSnS4(CZTS)is studied using density functional theory with hybrid functional.The allowed chemical potential of Na/K in CZTS is estab
人们目前主要以TiO2、ZnO 等宽带隙金属氧化物半导体作为催化剂来实现有机物降解。但是，由于宽带隙化合物半导体均需要利用紫外光进行有效激发，从而严重限制了对太阳光的能量利用率。虽然有人试图通过氮、氟、硫等元素及过渡金属离子掺杂和表面改性等方法实现有机物的可见光催化降解[1、2]，但截至目前还没有获得任何一种可靠的材料体系。
在有效质量近似下，运用变分法研究从理论上探讨量子点中基态能量与该量子点中结构参数之间的关系，如量子尺寸、Al 含量、质量和介电函数对杂质态束缚能的影响，且主要讨论半导体球形量子点中电子有效质量以及介电函数随位置的变化对杂质态束缚能影响。以氮化物材料为例，计算了杂质态基态能量的波函数和能级，得到与位置相关的质量和介电函数对基态结合能产生的具体影响。
CZTS is a promising low cost,earth abundant solar cell absorber material for thin film solar cell.Grain boundary properties are crucial in the performance enhancement of the solar cell device,yet not
会议
近年来，利用溶液法制备量子点发光二极管已经在光电子领域显示了巨大潜力。但是在量子点的选择上，目前经常使用的Ⅱ-Ⅵ 和Ⅳ-Ⅵ 族量子点由于其本身含有有毒性元素，使其大规模应用受到了一定限制。硅量子点由于硅元素的高储量和无毒等优点，有望成为制备量子点发光二极管的重要材料。有研究表明，硅量子点可以在600-1100 nm 范围内实现有效的发光[1]。
FeSe 是铁基高温超导体家族中晶体结构最简单的一员[1],但是却表现出了最为奇特的物理性质。随着温度的降低,FeSe 首先在Ts ≈ 90K 时发生四方到正交的结构相变,形成具有强烈各向异性的电子向列序[2]。但是,不同于其它的铁基超导体系,FeSe 在向列相内没有形成长程反铁磁序,而且无需掺杂或加压,FeSe 会在Tc ≈ 9K 进入超导态。