【摘 要】
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用压电极化和自发极化诱导效应设计了AlxGa1-zN/GaNHEMT结构材料,用MBE方法在蓝宝石衬底上对所设计的材料进行了制备.室温HALL测量结果表明,HEMT结构材料的二维电子气浓度和
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083信箱
【出 处】
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中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会
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用压电极化和自发极化诱导效应设计了AlxGa1-zN/GaNHEMT结构材料,用MBE方法在蓝宝石衬底上对所设计的材料进行了制备.室温HALL测量结果表明,HEMT结构材料的二维电子气浓度和迁移率分别为6.9×1012cm-2和755cm2/V.s.用此材料研制的HEMT器件的室温跨导约为50mS/mm(栅长为2微米),特征频率约为13GHz.对器件的高温特性进行了分析研究.
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