【摘 要】
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2002年丹普公司开发出国内第一套阳极层流气体离子源(GIS),多年来一直坚持不懈地进行技术完善、改进和创新.在多个应用领域取得了成功的应用和推广:GIS和磁控溅射(MS)相结合,丹普公司开发出发明专利技术(专利号:ZL200410097124.2):气体离子源增强磁控溅射反应镀膜(Gas Ion source Magnetron Sputtering chemical reactive depo
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2002年丹普公司开发出国内第一套阳极层流气体离子源(GIS),多年来一直坚持不懈地进行技术完善、改进和创新.在多个应用领域取得了成功的应用和推广:GIS和磁控溅射(MS)相结合,丹普公司开发出发明专利技术(专利号:ZL200410097124.2):气体离子源增强磁控溅射反应镀膜(Gas Ion source Magnetron Sputtering chemical reactive deposition--GIMS).GIMS技术应用在丹普多个系列的离子镀膜机上.丹普最新开发出电磁驱动阴极电弧源(4G-CAE)技术。利用4G-CAE优良的抑制微液滴能力和等离子体输送能力，在我司AS700系列工具镀镀膜机上开发出极高质量的AITiN硬质涂层。特别是高铝氮涂层得到了市场的广泛认可，为多家国内外客户带来了巨大的经济效益。凭借多年离子镀膜设备的设计和生产经验、配合强大的技术研发能力，丹普公司开发出了：步进电机驱动节流阀和五种真空自动控制模式(VCMO-VCM4)、智能源挡板系统、智能真空室温度控制系统、智能冷却水控制系统。这些专有技术全面地应用在丹普开发的各个系列的离子镀膜机上，也包括AS700系列工具镀镀膜机。
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