【摘 要】
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采用图腾柱的驱动方式,设计了应用于IXYS公司的功率MOSFET器件DE375-102N12的驱动电路.单个功率MOSFET器件在漏源极电压为788.9V得到了6ns的前沿.通过精心布线,以此驱动电路
【机 构】
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中国工程物理研究院流体物理研究所,四川,绵阳,621900
【出 处】
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第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会
论文部分内容阅读
采用图腾柱的驱动方式,设计了应用于IXYS公司的功率MOSFET器件DE375-102N12的驱动电路.单个功率MOSFET器件在漏源极电压为788.9V得到了6ns的前沿.通过精心布线,以此驱动电路进行的6个功率MOSFET器件并联的实验,开关导通时间的不一致性小于O.5ns,为采用功率MOSFET器件作为脉冲功率源奠定了基础.
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