【摘 要】
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InGaAs/GaAsSb Ⅱ 类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该材料体系的材料层厚以及应变可以实现 2um 到 4um 波段覆盖。不同于高 In 组份的 InGaAs 材料，该体系的材料晶格常数完全匹配于 InP 衬底，能够有效降低材料的生长难度和缺陷密度，生长出高质量的外延层材料，因此基于 InGaAs/GaAsSb Ⅱ 类超晶格的红外探测器被广泛应用于气体监测、医疗诊断、红外成像
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院大学,北京 100049
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InGaAs/GaAsSb Ⅱ 类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该材料体系的材料层厚以及应变可以实现 2um 到 4um 波段覆盖。不同于高 In 组份的 InGaAs 材料，该体系的材料晶格常数完全匹配于 InP 衬底，能够有效降低材料的生长难度和缺陷密度，生长出高质量的外延层材料，因此基于 InGaAs/GaAsSb Ⅱ 类超晶格的红外探测器被广泛应用于气体监测、医疗诊断、红外成像和自由空间通信等相关领域[1-2]。
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