【摘 要】
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本文采用了液氮循环制冷变温光电测量探针台分别探究了蓝光和绿光LED的电学特性,变温范围涵盖10K-350K.图1为不同温度下测得的蓝光和绿光LED正向伏安特性(半对数坐标).从图中可以看出,在低偏压和中偏压区,分别出现了两段不同斜率线性依赖区域(定义为1区和2区).经过拟合其特征能量ET与相应的理想因子n,可以得出低偏压和中偏压区均发生的是载流子遂穿过程,且两者遂穿的主体分别是电子和重空穴.值得一
【机 构】
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南京大学电子学院,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093 南京大学物理学院,南京大学固
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本文采用了液氮循环制冷变温光电测量探针台分别探究了蓝光和绿光LED的电学特性,变温范围涵盖10K-350K.图1为不同温度下测得的蓝光和绿光LED正向伏安特性(半对数坐标).从图中可以看出,在低偏压和中偏压区,分别出现了两段不同斜率线性依赖区域(定义为1区和2区).经过拟合其特征能量ET与相应的理想因子n,可以得出低偏压和中偏压区均发生的是载流子遂穿过程,且两者遂穿的主体分别是电子和重空穴.值得一提的是,绿光和蓝光LED的遂川主体的转化位置有明显差异.我们采用6×6 K·P法模拟出能带结构图对这一现象进行解释.
其他文献
中红外量子级联激光器(QCL)在医疗诊断、自由空间通信、遥感、生物工程、污染监测等关系国计民生的领域有重要应用前景.阻碍实际应用的一个重要因素是QCL由于衍射效应导致的较大远场发散角.本文研究了QCL的光束整形问题,解决了窄脊QCL光束发散的关键技术难题.
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由于大功率半导体激光器具有结构简单、体积小、寿命长、易于调制、价格低廉等优点,被广泛应用于各个领域.900nm高功率半导体激光器主要应用于激光测距、激光制导和激光引信、半导体激光瞄准和告警等领域.本文将使用Crosslight公司的LASTIP软件和自主编写的WG7波导结构设计软件设计优化900nm超大光腔四叠层隧道级联激光器结构.采用金属有机化合物气相淀积方法(MOCVD)生长了AlGaAs/I
高Al组分的p-AlGaN在紫外探测器、紫外LED等光电子器件中具有广泛的应用,但实现高电导性的p型AlGaN依然是现在需要解决的难题.在GaN中Mg的激活能大约200meV,在AlN中激活能在0.5-0.6 eV之间,这决定了在常温下只有大约1％的Mg杂质可以被激活,难以得到高的空穴浓度和良好的电导性能.
本文研究了在Si衬底上免催化剂生长GaN基纳米线及其异质核壳结构的方法.将湿法化学刻蚀技术和MOCVD技术结合,利用GaN材料在Si不同晶面的异向外延特性,在不引入催化剂的前提下,合成高晶体质量、大纵横比,且密度、尺寸、掺杂、结构等物化性能灵活可控的GaN基纳米线及其异质核壳结构.
以氧化锌为代表的简单体系极性氧化物具有独特的光电特性及高击穿电压、高电子饱和速率等优点,是继Ⅲ族氮化物之后在短波长光电子器件及高频高功率电子器件的应用方面又一重要的优选材料.氧化物界面二维电子气(2DEG)的奇异量子现象及调控机制成为当前材料与物理领域的研究热点.
低频噪声特性分析是研究场效应管器件界面特性及其载流子输运机制的有效手段.在本文中,我们研究了非晶InGaZnO (a-IGZO)基薄膜晶体管的低频噪声特性,并藉此对其界面陷阱态密度进行了表征.我们首先制备了基于磁控溅射淀积a-IGZO的薄膜晶体管(μFE=10.3cm2V-1s-1,SS=O.25V/dec,Vth=5.4V,Ion/Ioff＞108)(Fig.1).
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在利用MOCVD设备生长GaN材料时，很难避免C杂质的进入。而C的存在会对材料性能有诸多影响，为此弄清C在GaN外延薄膜中的浓度及分布状况，对有效控制GaN材料中的C污染，提高相关器件性能无疑是非常重要的。本文利用二次离子质谱仪(SIMS)定量分析了C在GaN薄膜中随深度的变化。