【摘 要】
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本文采用一种新型的双离子束技术,利用金属源(MEVVA)产生钛离子,同时利用射频放电产生氧离子,在样品台上施加一定的负偏压,从而在Si(100)表面沉积氧化钛薄膜.通过改变真空室
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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本文采用一种新型的双离子束技术,利用金属源(MEVVA)产生钛离子,同时利用射频放电产生氧离子,在样品台上施加一定的负偏压,从而在Si(100)表面沉积氧化钛薄膜.通过改变真空室中氧气的压力,得到不同成分、结构的氧化钛薄膜.利用X射线衍射技术、X光电子能谱技术等研究了薄膜的结构、成分与机械性能.结果表明,随着氧分压的提高,薄膜的主要组成相由Ti<,2>O变化为完全由金红石型Ti<,2>O组成.薄膜与基体结合牢固,硬度最高可达19GPa.
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