【摘 要】
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针对有机电子器件薄、柔、轻薄膜封装要求,自行设计并搭建一套低温ICP-PECVD系统。利用该沉积系统,通过控制反应气体HMDSO和O2流量拟分别沉积有机薄膜和无机薄膜,通过FTIR分
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针对有机电子器件薄、柔、轻薄膜封装要求,自行设计并搭建一套低温ICP-PECVD系统。利用该沉积系统,通过控制反应气体HMDSO和O2流量拟分别沉积有机薄膜和无机薄膜,通过FTIR分析薄膜的成分特性,通过TEM分析有机/无机交替结构薄膜界面特性,通过水氧渗透率测试仪分析封装层气体阻挡性能。结果发现通过调节沉积参数可分别实现无机薄膜SiOx和有机薄膜SiOxCyHz的沉积,整个封装层由四个周期的70 nm厚SiOx和250 nm厚SiOxCyHz组成,单个周期交替机构封装层水汽渗透率低至3.66×10-4g/m2·day,四个周期交替结构封装层气体阻挡性能正在测试中,并利用该ICPPECVD系统成功实现对OLED器件的封装。
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