【摘 要】
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压接式IGBT(绝缘栅双极晶体管)集MOSFET的栅极电压控制特性和BJT的低导通电阻特性于一身，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低以及工作频率、高电压、大电流等特点，是近乎理想的半导体大功率开关器件，有着广阔的发展和应用前景，广泛应用于电机变频器、风力发电变流器、光伏发电逆变器、高频电焊机逆变器，轻型交直流输电、轨道交通、航空、舰船、海洋工程等领域。压接式IGBT结构形式源于晶闸管、GTO等
【机 构】
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国家电网公司 国网智能电网研究院 电工新材料及微电子研究所 功率器件研究室,北京 100192 上
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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压接式IGBT(绝缘栅双极晶体管)集MOSFET的栅极电压控制特性和BJT的低导通电阻特性于一身，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低以及工作频率、高电压、大电流等特点，是近乎理想的半导体大功率开关器件，有着广阔的发展和应用前景，广泛应用于电机变频器、风力发电变流器、光伏发电逆变器、高频电焊机逆变器，轻型交直流输电、轨道交通、航空、舰船、海洋工程等领域。压接式IGBT结构形式源于晶闸管、GTO等器件的封装方式，结构紧凑，密封良好，无任何引线连接和焊接，适合在高压大电流高频下使用，并且一致性良好，便于进行器件串联，提高设备电压等级。此外压接式IGBT器件开关性能良好，可以通过陶瓷管壳的顶部和底部双面散热，因此器件的热阻小，热疲劳性能好，散热良好，电流额定值高。
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