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由于具有超高的理论空穴迁移率(1000 cmZV-1s-1)和较窄的理论禁带宽度(0.7Z eV)，一维锑化镓(GaSb)纳米线在制造小尺寸光电子器件方面具有先天的优势.然而，受限于实验所得的较低空穴迁移率，基于GaSb纳米线的光电子器件在近几年发展缓慢.
可控生长超高空穴迁移率GaSb族纳米线
【摘 要】
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由于具有超高的理论空穴迁移率(1000 cmZV-1s-1)和较窄的理论禁带宽度(0.7Z eV)，一维锑化镓(GaSb)纳米线在制造小尺寸光电子器件方面具有先天的优势.然而，受限于实验所得的
【机 构】
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山东大学微电子学院济南250100
【出 处】
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中国化学会第十届全国无机化学学术会议
【发表日期】
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2019年8期
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