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本文报道了由中国科学院高能物理研究所自行研制的掠出射X射线荧光分析(GEXRF)装置.掠出射X射线荧光分析不仅可以测量薄膜的成分,而且可确定薄膜的厚度,密度和化学成分随深度的变化.利用该装置,在X射线发生器和北京同步辐射装置上,对硅基体上的金属薄膜(Ni,Ni/Ti)和砷化镓晶体进行了掠出射X射线荧光分析.所得结果表明,掠出射X射线荧光分析是一种分析薄膜厚度,密度等特性的有力工具.