低温磁控溅射制备高效CdTe多晶薄膜电池及其微观电学性能表征

来源 :第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hbb88191312

【摘要】

：

　　本文工作采用低温磁控溅射方法在NSG CF51 导电玻璃上制备CdTe 多晶薄膜电池,结构为：glass/SnO2∶F/CdS∶O/CdTe/metal contact.CdS∶O 和CdTe 多晶薄膜的厚度分别为100 n

【作者】

：

李辉杨彪刘向鑫

【机构】

：

中国科学院电工研究所 100190

【出处】

：

第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

【发表日期】

：

2014年期

【关键词】

：

低温磁控溅射制备 CdTe多晶薄膜电池电学 CdS 磁控溅射方法窗口层

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　　本文工作采用低温磁控溅射方法在NSG CF51 导电玻璃上制备CdTe 多晶薄膜电池,结构为：glass/SnO2∶F/CdS∶O/CdTe/metal contact.CdS∶O 和CdTe 多晶薄膜的厚度分别为100 nm 和2 μm.与CdS 相比,CdS∶O 降低了窗口层的光学吸收,提高了窗口层的结晶质量,降低了CdS 和CdTe 的互扩散,有利于CdTe 电池转化效率的提高.

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