A new enzyme lable strategy for flow-through chemiluminescent immunoassay of interferon-γ

来源 :中国化学会第十届全国发光分析学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nanermama
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Solution processed high performance InGaZnO thin film transistor (TFT) has been investigated.In this work, we emphasize on low temperature (about 250 ℃) and solution based fabrication route, which sho
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薄膜晶体管(TFT)是现今主流平板显示(包括AML,CD和AMOLED)不可或缺的驱动器件。目前显示器件中使用的主要是非晶硅(α-Si)TFT,但α-Si-TFT迁移率低(<1 cm2/Vs),无法满足大尺寸显示器发展要求,同时也是发展高清显示的最大技术瓶颈。以InGaZnO为代表的非晶氧化物半导体(AOS)由于具有较大的迁移率(>10 cm2/Vs),易于大面积均匀制备,并且与需要低温工艺的透明
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使用脉冲激光沉积(PLD)方法在柔性衬底PMMA、PET上制备了具有高c轴择优取向的AZO(ZnO:A1)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)、四探针仪和纳米划痕仪,详细研究了衬底温度Ts(室温,50,80,100,120℃)、氧气分压强Po2(0.06,0.3,2,5,10 Pa)对柔性衬底PMMA、PET上AZO薄膜光电特性、热稳定特性、附着力特性的影响.
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