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本文主要阐述制作铜厚70μm(2OZ)、线路75/75μm(3/3mil)高密度的线路板在蚀刻制程中造成侧蚀现象控制的措施,如何控制含氯酸钠的氯化铜酸性蚀刻或含氨碱性蚀刻制程等两种工艺的水池效应导致单边侧蚀量＞12.5μm(0.5mil)异常问题。
改善蚀刻制程中侧蚀之措施
【摘 要】
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本文主要阐述制作铜厚70μm(2OZ)、线路75/75μm(3/3mil)高密度的线路板在蚀刻制程中造成侧蚀现象控制的措施,如何控制含氯酸钠的氯化铜酸性蚀刻或含氨碱性蚀刻制程等两种工
【机 构】
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清英电子技术开发部
【出 处】
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2008中日电子电路秋季大会暨秋季国际PCB技术/信息论坛
【发表日期】
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2008年10期
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