【摘 要】
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为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理，对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验，共选取了两种不同的电子通量，辐照后对器件进行了常温退火实验，实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律，实验结果表明，CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤，在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011
【出 处】
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第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
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为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理，对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验，共选取了两种不同的电子通量，辐照后对器件进行了常温退火实验，实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律，实验结果表明，CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤，在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。
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