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条形功率VDMOS晶体管导通电阻设计考虑
【机 构】
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上海科学技术大学
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第三届年会
【发表日期】
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1986年期
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该文采用有限差分方法对高压功率双栅ＭＯＳＦＥＴ（ＤＧＭＯＳＦＥＴ）的直流特性进行二维数值分析。验证了ＤＧＭＯＳＦＥＴ的低压ＭＯＳＦＥＴ和ＶＤＭＯＳＦＥＴ的公共Ｎ＋浮空区可以近似看成恒定电阻；发现ＤＧＭＯＳＦＥＴ中ＶＤＭＯＳＦＥＴ的沟道掺杂的不均匀性，将使ＶＤＭＯＳＦＥＴ的饱和夹断点移向沟道内