【摘 要】
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采用磁控共溅射法制备了Co含量介于6．4at％~16．4at％的Co-C纳米复合薄膜。形貌观察表明，Co纳米颗粒均匀分散在C基体中，相邻Co颗粒被C基体较好地分离，样品呈现典型的颗粒薄膜结构。Co颗粒平均尺寸随Co含量增加而增大。薄膜在低温下磁性较强，在室温下磁性较弱：磁化强度随Co含量增加显著提高。当温度为4．2 K、磁场为90×79．6 kA·m-1时，在Co含量为6．4at％、8．3at％和
【机 构】
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清华大学,北京 100084 日本东北大学金属材料研究所,日本 仙台 980-8577
【出 处】
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第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛
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采用磁控共溅射法制备了Co含量介于6．4at％~16．4at％的Co-C纳米复合薄膜。形貌观察表明，Co纳米颗粒均匀分散在C基体中，相邻Co颗粒被C基体较好地分离，样品呈现典型的颗粒薄膜结构。Co颗粒平均尺寸随Co含量增加而增大。薄膜在低温下磁性较强，在室温下磁性较弱：磁化强度随Co含量增加显著提高。当温度为4．2 K、磁场为90×79．6 kA·m-1时，在Co含量为6．4at％、8．3at％和9．6at％的Co-C薄膜中分别观察到9．1％、4．3％和1．9％的负磁电阻，为碳基磁性颗粒薄膜获得优异磁输运性能提供可能。受微结构变化影响，样品磁电阻值随Co含量的增加而下降。
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