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利用电子束研制出０．４μｍ，的掩模板，通过接触光刻，在ＧａＡｓ片上两次曝光研制出１２ＧＨｚ的微波器件。
１２ＧＨｚ的微波电路的研制
【摘 要】
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利用电子束研制出０．４μｍ，的掩模板，通过接触光刻，在ＧａＡｓ片上两次曝光研制出１２ＧＨｚ的微波器件。
【机 构】
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华晶电子集团公司掩模工厂(无锡)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年期
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