霍尔迁移率相关论文
本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度......
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变......
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变......
李建明男31岁.1984年毕业于北京师范大学,1987年在北师大低能核物理研究所获硕士学位.现为中国科学院半导体研究所副研究员.主要从......
本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用......
在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线......
我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的......
采用溶胶 -凝胶 (Sol -Gel)工艺在普通Na -Ca -Si玻璃基体上成功地制备出高c轴择优取向性、高可见光透光率以及高电导率的Al3 + 离......
用X射线衍射法确定了DyP和YbP的晶体结构,研究了它们的吸收光谱。得出其禁带宽度分别为1.15eV和1.30eV,电阻率为～10~(-2)Ω-cm,载流......
采用溶胶-凝胶法在n型Si(100)衬底上沉积Li-N双掺杂ZnO薄膜,经X射线衍射和扫描电镜图片分析,所制备薄膜具有多晶纤锌矿结构和高的c......
以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大......
文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生......
碳化硅(SiC)作为一种优异的第三代半导体材料,具有很多优良的电学和物理特性:禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、载流子饱和漂移......
1.引言除其它半导体材料外,Cd_xHg_(1-x)Te因质优而可制作高品质红外光子探测器。探测度D_λ~*≥1×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(......
采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法在玻璃基片上沉积了锡掺杂的氧化铟锡(ITO)透明导电膜,在沉积过程中保持了辉光放电电流、氧分......
霍尔系数和直流电导率是固体薄膜的主要电特性参数．我们测量了Ｐ－型Ｐｂ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的霍尔系数和直流电导率，实验表明其禁带宽度和电子迁移率随镉组......
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子......
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射......
使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和......
采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所......
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性......
纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺......
采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa......
:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3～ 1......
采用射频溅射法于室温在玻璃基底上制备了铝掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了基底旋转速度(ωS)对薄膜形态、结构、光学和电学性质的影响。......
发现了一种在单晶蓝宝石上利用高温分解 SiH_4来淀积硅薄膜的方法。薄膜的电子衍射和劳埃反射检验都示出了单晶花样。硅薄膜的霍尔......
美国无线电公司有人用化学蒸汽淀积法镀掺锑的氧化锡透明导电薄膜。用双醋酸锡二丁酯、五氯化锑、O_2、H_2O和N_2为运载气体,衬底......
已在兰宝石(1102)衬底上外延生长了优质硅单晶层,外延层为P型(100)晶向,表面光亮如镜,外延层厚1～2微米,电阻率1欧姆厘米,载流子浓......
在开管流动氢气的常规滑块舟系统中,在CdTe(111)A面衬底上已液相外延出Hg_(1-x)Cd_xTe(0.17≤x≤0.3)外延层。对于x=0.2的原生层,......
已用真空淀积研究了小禁带宽度半导体Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te,Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te和Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜。以前有关真空淀积Hg_(1-x)Cd......
本文介绍x值分别为20％,30％,43％的碲镉汞外延层的电特性。研究的温度范围从4.2～300K。这些样品是按着“密闭空间蒸气输运”技术生长的。......
在过Hg压下对外延膜退火,然后给退火层扩散铟,可在CdTe衬底上制得高迁移率的n-型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te液相外延膜,其重复性好。在77K......
一、前言 在调试LC-2机器时,发现所引出的二氟化磷离子流[(PF_2)~+]较磷离子流大好几倍。为提高工作效率,开展了二氟化磷离子掺杂......
PCl_3/In/H_2的最新工作是揭示PCl_3克分子分数和质量输运效应对外延生长速度和净掺杂影响的互变关系。介绍了用改进了的比早期AsC......
用液封方法从富镓熔液中拉制出了GaAs_(1-X)P_X晶体。对晶体的头部进行X射线分析和光学测量得出:X(?)0.3。在室温下,进行光学测量......
对含净杂质浓度(N_D-N_A)高于7×10~(16)cm~(-3)的补偿掺砷锗进行了电离杂质密度的分析。霍尔分析和二次离子质谱含杂相对量的分析......
引言最近几年,HgCdTe被广泛地用来制作红外探测器。尽管已对该材料进行了广泛的研究,但这些研究只是提供了一些有限的数据和一个......
本文首先简介国外8～14微米HgCdTe材料的发展和现状,然后介绍碲溶剂法、再结晶法和高压回流法等一些熔体生长方法和所得8～14微米材料......
在大气压力和500℃低温下,生长了优质MOCVD外延层。在600℃以下,生长速率受AsH_3热分解减少的限制。测量了Se高掺杂GaAs层的霍尔......
本文对于低压化学汽相沉淀方法沉积的多晶硅薄膜的电导性能进行了研究,并与大气压下沉积的薄膜的导电性能作了比较。低压薄膜在580......
