集电极相关论文
为提高汽车动力锂电池集电极的异种金属焊接质量,同时基于BP神经网络的非线性映射特点,选取焊接压力、焊接振幅和焊接能量三种焊接......
甘肃省平凉市泾川县职业教育中心 【摘要】过去都以老式的指针式万用表为例讲解元器件的测量方法,而当前基本上都以数字式万用表......
本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路(IC)。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能,然后介绍电......
我所附属工厂生产的东方红型定位仪已经在东、黄海作业的渔轮上广泛使用,也陆续在南海作业的渔轮上使用。及时地修好发生故障的定......
一在原处,在硫化物矿物质的 Pb 同位素的作文的微量分析被诱导地使用 femtosecond 激光脱离多收集者执行联合血浆团 spectrometry (......
本文介绍了选极晶体管技术标准制订和认证试验中的有关技术问题。
This article describes the selection of transistor technol......
选极F型封装功率晶体管,简称选极晶体管,是一种具有F型封装外型,制造时可根据整机电路组态需要选择芯片电极与管座电连通状态的功......
2.晶体三极管的主要参数晶体三极管参数是用来表示晶体管特性和范围的,因此选用晶体管时必须了解它的主要参数。晶体三极管主要参......
硅管和锗管在特性上有很大的不同,使用时需要加以区分。无论是硅管还是锗管,一般可从型号加以辨别,但现在一些采用国外型号标注的......
为了使多次迭加得到较好的效果,要求爆炸讯号的波形稳定、讯号准确、不超调。为此我们采取了下列措施。一、波形稳定我们学习了21......
M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030 MHz~1090 MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。......
0引言最近20年来,功率器件及其封装技术的迅猛发展,导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的......
无产阶级文化大革命以来,我厂在模具制造和特殊零件加工中广泛采用了电火花加工技术,为了扩大电加工使用范围,进一步提高其工艺指......
提供RF和微波硅功率晶体管的APTRF公司的军工与宇航分部最近宣布了一种新系列高功率晶体管,旨在用于高端L波段(14801650MHz)脉冲雷......
无产阶级文化大革命是使我国社会生产力发展的一个强大的推动力。近年来,随着国防技术,各工业部门和科学尖端研究工作的迅速发展,......
研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论......
美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布,他们已制造出目前世界最快的晶体管,这种磷化铟与砷化铟镓制造的新型晶体管速度达845GHz,较......
当设计者用光电晶体管将一个调制后的光信号转换成电信号时,如果有高亮度的背光使光电晶体管饱和,就会遇到麻烦。当光电晶体管基极......
随着科学技术的不断发展,从晶闸管整流元件问世以后,又陆续出现了各种特异性能的晶闸管器件,光晶闸管就是其中的一种。由于光晶闸......
最近几年,美国伊利诺斯大学香槟分校(UIUC)的Milton Feng领导着晶体管速度方面的研究,HBT器件在室温下速度提高到了800GHz。但2007......
通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT) .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT......
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1.IGBT管简介IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的简称,它是80年代初诞生,90年代迅速发展起来的新型......
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题.考虑了基......
①基极的判别。利用万用表判别贴片晶体管基极的方法如图6所示。图6中,将万用表置于R×100Ω或R×1kΩ档,用黑表笔接贴片晶体管的......
图1中的简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型,并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端......
位于美国华盛顿的美国海军研究实验室日前声称,他们首次开发出一种基于InAlAsSb/InGaSb材料的新型双异质结晶体管,这种异质结晶体......
贴片场效应管属于电压控制型半导体器件,具有输入阻抗大(108~109Ω)、噪声低、功耗低、热稳定性能好、抗辐射能力强等特点,在电子产......
一、三极管1.三极管的概念、图形符号、标识及分类半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它的最主要......
专利号:200710018427.4专利权人:中国航天时代电子公司第七七一研究所简介:本发明公开了一种运算放大电路的相位反转和过流抑制电......
V.G.电子点火装置是采用一个高压功率三极管。 三极管的特性如下:电流 15安培(直流) 功率 60瓦 发射极——集电极电压 120伏特 由......
斯堪尼亚汽车的调节器系波许(BOSCH)产品,该调节器损坏后,因目前国内没有适当的同类型调节器代用,往往影响该车的正常维护使用。......
КамАЗ汽车装有新式供电系设备,即г—272交流发电机和PP—356无触点晶体管调压器。 如图所示,Г—272发电机激励线圈OB的两端......
在鼓足干劲,力争上游,多快好省地建设社会主义总路线的光辉照耀下,我厂于1968年试制成功BS系列晶体管闪光继电器。经多年实际使用,......
三、全晶全管点火装置(续)6.全晶体管点火装置的开关放大电路全晶体管点火装置的放大电路是指将信号发生器
Third, all-crystal al......
逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IG......
我处于1980年试制成功了 DT1—A安全火花型导通仪。经过二年多在井下工作面的试用,证明该导通仪可以排除故障及其对安全生产造成......
应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对......
结合双极型晶体管工艺仿真和强电磁脉冲效应机理,建立双极型晶体管电磁脉冲效应仿真分析的二维电-热模型.通过分析器件内部电场强......
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模......
针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiG......