半导体掺杂相关论文
应变是研究材料物性和结构的重要手段,同时也是调制和改良材料物性的重要方法,本文基于第一性原理计算方法,研究了稀磁半导体（Ga,Mn......
实验研究表明，多晶硅中注入一定剂量的ＢＦ〈，２〉〈’＋〉后再形成ＣｏＳｉ〈，２〉，其高温稳定性出未注入ＢＦ〈，２〉〈’＋〉的情况有进一步的提高。在能使钴硅充......
立方氮化硼(cBN)是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带(Eg=6.4eV)多功能性材料,因其在机械、电子、物理化学等方面独特的......
离子注入技术最初应用于半导体掺杂，由于其方法简单可控、节能环保、注入元素不限、对基材要求低，并且不改变基材的形貌，所以，离子注入......
InVO4作为一种新型窄禁带半导体材料,具有可见光波段的光催化性能。本文以氯化铟（InCl3）、偏钒酸铵（NH4VO3）和轻氢氧化钾（KOH）为原料,采......
费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学......
利用半导体掺杂玻璃ＣｄＳ_ｘＳｅ（１－ｘ代替染料ＤＤＩ和ＨＩＴＣＩ作为饱和吸收体，实现了全固态被动锁模钛宝石激光器的稳定运转。在５．５Ｗ氩离子激光泵浦下获得锁模输出功......
综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０１１～１０１６／ｃｍ２）离子注入到高剂量（１０１７～１０１８／ｃｍ２）离子注入合成新材料的离子束合成技术。......
简要介绍了全方位离子注入技术领域近几年国际上出现的几项新技术。
This paper briefly introduces several new technologies i......
离子注入法是半导体掺杂工艺中的一种极重要手段。即是在真空中将填加粒子离子化,并经静电高能加速后注入到固体基板上。这一方法......
二、铊的工业新应用根据对近年(1976年以来)国外发表的有关应用铊的专利情况的分析,或者可以更清楚地看出铊在工业方面应用的新趋......
本文简单介绍了弹道电子发射显微镜（ＢＥＥＭ）的原理和应用，并给出了用自行研制的ＢＥＥＭ设备得到的一些实验结果。
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纳米材料是低维材料的一种,是目前材料科学研究的热点和前沿.纳米复合材料因具有很强的非线性光学效应而引起人们的兴趣.1983年Jai......
本文研究了半导体掺杂复合材料微结构的各向异性对材料的光学非线性增强的影响。利用Stroud Hui的表达式 ,我们给出了半导体掺杂复......
由北京化工大学徐瑞芬、胡维康等负责研制和开发的“新型氯化法纳米二氧化钛制备技术及应用”项目四月中旬通过了北京市科委组织的......
近年来,离子束与固体材料相互作用的研究领域发展很快,已渗透到材料科学、表面科学、周体物理、核物理与微电子学等各个学科。低......
连续电子束退火是继激光退火之后出现的一种更有希望的离子注入层退火新工艺。DT-1型连续电子束退火实验装置是我国第一台连续电......
继离子注入技术成功地应用于半导体掺杂之后,欧、美及日本的一些科学技术人员纷纷开始研究如何把这项新技术应用于改变其他材料的......
对于离子注入MOS结构的研究,要求采用非破坏性的方法来测定硅中注入离子的掺杂分布。迪耳等人采用MOSC_(最大)/C_(最小)方法的热......
以氯化铟(InCl_3)和钒酸铵(NH_4VO_3)为原料,通过回流法制备出了钒酸铟(InVO_4)溶胶。用X射线衍射仪、透射电镜、分光光度计等手段......
本文介绍采用微型计算机技术研制的一台用于检测离子注入、扩散等半导体掺杂工艺的均匀性、一致性及重复性的自动测量及数据处理系......
激光生产的超精细粉末,在许多潜在时应用方面目前已受到人们的注意。这些应用包括陶瓷制造,化学催化和半导体器件制造。可以把这......
本文阐述了离子注入设备用于半导体掺杂过程中各种注入参数的物理极限,并以LC—4型600KeV高能离子注入机为例来说明。
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采用MBE工艺,研究在AlGaAs中δ掺硅,并生长了单δ层和多δ层两种结构。用电化学C-V和SIMS测量离化硅浓度和硅原子浓度分布。SIMS测......
制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件......
本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。
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本文叙述了在InP(100)面上外廷生长Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As调制掺杂结构,采用RHEED强度振荡、x光双晶衍射、束......
用分子束外延生长了δ掺杂结构,并用电化学C-V和汞探针C-V测量了载流子的分布特性,其半峰宽约85(?)。δ掺杂用于AlGaAs/GaAs调制掺......
本文报导了利用灯丝热解CVD方法在单晶硅衬底表面气相合成硼掺杂p-型金刚石薄膜的方法和结果,并对其晶体结构、半导体性质及发光特......
离子注入机从70年代开始应用于半导体掺杂以来,已经取得了很大的进展。从其应用范围来看已从半导体掺杂扩大到对金属注入(即材料......
给出了饱和型半导体掺杂玻璃光纤传输方程的一般孤子行波解,讨论了在各种参数选取下解的性质以及明、暗孤波形成的条件,其中引入了......
一、引言 离子源不仅在核物理实验,而且在半导体掺杂,金属表面改性,防腐辐照方面均有广泛用途。 从离子源中引出的离子束带有电荷......
NTC热敏陶瓷是应用最广泛的半导体陶瓷之一,非常适用于检测外部场所中的温度变化,还可用于惠斯通电桥、线性电阻网络和可编程微处......
量子点敏化太阳能电池(QDSCs)作为染料敏化太阳能电池(DSSCs)的一个分支，已经引起了研究者的广泛研究。这是由于量子点敏化太阳能电......
学位
本论文基于密度泛函理论的第一性原理计算和分子动力学模拟，主要研究半导体表而金属（合金）纳米结构的生长与调控，氧化物和氮化物宽带隙......
利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2(SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过......
据报道，一个德国马克斯普朗克学会微结构物理学研究所参与的国际研究团队发现了可以用来制作具有非常强导电性硅纳米线的效应：利用铝......
从原理上分析了纳米气相二氧化硅胶体铅酸蓄电池的特性，介绍了一种研究成果，应用于铅蓄电池的硅胶体的制造原理和方法。主要是利用表......
立方氮化硼（c-BN）是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带（Eg=6.4eV）多功能材料，因其在机械、电子、物理化学等方面独特的性质，高......
该课题设计了光催化反应器和人工光源，建立了光解水制氢测试系统。以雀巢结构化、层间插入、桥架构筑、离子交换和硫化过程以及半导......
用第一性原理计算不同Nb掺杂浓度的n型Nb掺杂SrTiO3,研究了Nb掺杂浓度对SrTiO3的形成焓、电子结构和光学性能的影响。在Nb掺杂SrTi......
