sIgE相关论文
设计了一款低相位噪声的可编程分频器,主要用于高鉴相频率的锁相环频率源中。电路设计采用2/3分频器级联结构,通过数选电路实现连......
随着器件特征尺寸进入5 nm及以下技术节点,SiGe高迁移率沟道FinFET或GAA三维器件成为了研究热点。总结了适用于三维器件的SiGe高迁......
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
无线技术的快速发展使得低频频段异常拥挤,而毫米波能够提供丰富的可用频谱资源。随着毫米波理论技术的成熟、电路集成度的提高与......
鳍式场效应晶体管（FinFET）是目前半导体行业中16/14技术节点中的主流器件结构。然而,随着晶体管器件尺寸的不断缩小,硅基FinFET技术......
随着传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。短沟道......
学位
Structural Evolution of Microcrystalline Ge-rich Si1-xGex Films Deposited by Jet-ICPCVD in Annealing
Ge-rich Si1-xGex films with a hybrid amorphous/nanocrystalline structure were deposited by jet-type inductively coupled ......
本文研究了SiGeHBT在OC应力(集电极开路,发射结反向偏置)、FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)以及热应力下的退化现象.发现基......
基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果......
本文考虑了基区扩展效应、准饱和效应、速度饱和效应、自热效应、厄利效应、大注入效应以及发射结能带的不连续对载流子输运产生的......
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研......
To lower the power consumption of nanometer devices new materials and novel device structures are required.High mobility......
The solid reactions between Nickel and relaxed SiGe substrate are systematic investigated with different Al interlayer t......
Biosensors based on ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) have demonstrated a lot of advantages such as small si......
Mobility boosters are imminently required for high performance and low power CMOS generations.Compressively strained sil......
Investigation of optical and material properties of Si/SiGe/Si heterostructures by using spectroscop
The use of silicon germanium (SiGe) as a semiconductor was championed by Bernie Meyerson,an IBM fellow since 1994.SiGe i......
会议
本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种......
目的研究不同年龄组变应性鼻炎患者对敏筛试验中各变应原的阳性率之间是否存在统计学差异,及sIgE阳性率与总IgE的关系。方法选取20......
介绍通信集成电路相关的硅基CMOS工艺、GaAs HBT与HEMT工艺、SiGe HBT与BiCMOS工艺,介绍东南大学射频与光电集成电路研究所利用多......
:本文基于漂移扩散模型,对硅基错PIN 红外探测器的电流特性随应变、Ge 吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了......
对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGexSi多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)......
Sphere-shaped SiGe micro/nanostructures with tunable Ge composition and size formed by laser irradia
SiGe spheres with different diameters are successfully fabricated on a virtual SiGe template using a laser irradiation m......
目的探讨抗原特异性免疫治疗花粉症与细胞因子的相关性。方法将蒿草花粉过敏的60例患者随机分为快速免疫治疗和常规免疫治疗2组,用......
根据脊形光波导的基本设计要求，分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响，并优化设计了结构参数，其合理性得到了实验验......
Resonant cavity enhanced photoluminescence of tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon-on-i
The tensile strained Ge/SiGe multiple quantum wells(MQWs) grown on a silicon-on-insulator(SOI) substrate were fabricated......
目的对哮喘患儿应用粉尘螨舌下含服特异性变应原免疫治疗(SIT)的干预性研究及远期疗效观察。方法 2006年12月至2009年12月中山市博......
气道反应性增高是支气管哮喘（以下简称哮喘）的重要特征之一，单凭临床表现和常规肺功能检查尚不能确定是否为气道高反应性。因此我们通......
为探讨CAP过敏原检测系统中Phadiatop检测和特异性IgE（sIgE）检测在小儿哮喘病因诊断中的应用价值，对54例哮喘患儿和47例支气管肺炎患......
本文通过对豚草的植被调查和空气中花粉监测,对520例患者进行皮内试验和体外生物学检测等初步临床分析.结果发现:艾叶豚草和三裂叶......
应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一。本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)......
过敏性疾病是目前世界上最常见的慢性疾病之一,与接触过敏原有关。本文收集了2598例患者资料,分析总IgE的结果,初步了解过敏患者过......
简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。
The basic principle of SiGe / Si heterojunction device, the ba......
Ｂ－ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄＡｎｎｅａｌｉｎｇｆｏｒＳｉＧｅＥｐｉｌａｙｅｒｓ①②ＪＩＡＮＧＲＬ，ＬＩＵＷＰ，ＪＩＡＮＧＮ，ＺＨＵＳＭ，ＨＵＬＨ，ＺＨＥＮＧＹＤ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２...
B-implantation and AnnealingforSiGeEpilayers①②RL, LIUWP, JIANGN, ZHUSM, HULH, ZHENGYD (Dept. of Physics, Nanj......
Abstract: An amorphous silicon 16 - bit array photodetector with the a - SiC/a -Si heterojunction diode is presented. Th......
The formation of non-abrupt interface makes the refractive index profile of an actual SiGe/Si MQW no longer a periodic s......
该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法
Describes the working principle of the SiGe / Si heter......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要......
本文提出了一个适用于大电流的ＳｉＧｅ基区双极型晶体管（ＳｉＧｅ－ＨＢＴ）的电流和频率特性的解析模型．本模型考虑了速度饱和效应，对ｎ＋ｐｎｎ＋双极型晶体管，当电流超过发......
对采用快速加热、超低压－化学汽相淀积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）技术生长的Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２／Ｓｉ应变外延层进行硼注入，注入能量为４０ｋｅＶ，注入剂量为２．５×１０１４ｃｍ－２。然后，进行不同时间、不同温度的快热......
本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件......
在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以......
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为......
据《日经工卜夕卜o。夕X》1997年第2—10期报道，德国西门子与德国Ruhr大学、奥地利工业大学合作，采用SiGe技术开发了高速2：1分频器IC，......
TEMIC半导体公司新近推出了用于DECT无绳电话的高集成度SIGe前端U7006B型集成电路。这是除了U7004B前端IC以外的业内首款采用SiGe......
