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本文针对一款基于BCD350GE工艺的电荷泵锁相环提出了一种适用于它的VCO架构.本文提出的压控振荡器架构分为两部分,第一部分是V-I电......
本文对一次烧成工艺和二次烧成法制成的n-型SrTiO_3半导瓷的非线性V-Ⅰ关系作了定性描述。着重讨论了V-Ⅰ特性曲线3个区的导电机理......
选用n-，p-和p+三种半导体硅材料作为衬底，通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜；在PS／S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线，......
快速有效地获得级联、超结构、倾斜光纤光栅等大计算量光栅类型的光谱特性,是优化设计基于上述光栅建立的各种光器件的重要基础和......
装制了砷化镓电子转移放大器件的V-I特性测量仪,观察了连续和脉冲运用的电子转移放大器件的V-I特性。发现几呈现准饱和V-I特性曲线......
本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaA......
你有没有尝试过设计制造一种可编程电流源驱动接地负载?如果你尝试过的话,那么,你定会了解到在制作一个具有高共模抑制比和良好带......
将智能化的光功率计、数字电压表等测量仪表通过IEEE488母线与AppleⅡ微型计算机相连,组成了LED/LD器件特性的计算机辅助测试系统......
Non-Intrusive Load Identification Model Based on 3D Spatial Feature and Convolutional Neural Network
<div style="text-align:justify;"> Load identification method is one of the major technical difficulties of non-intrusive......
通过对太阳能电池伏安特性及功率电压曲线的分析，结合光伏并网系统的特性和太阳能电池的最大功率点的跟踪原理，并提出了一种采用软件......
