应变硅相关论文
应变硅技术是现代半导体的一项关键技术,可以有效提升器件的载流子迁移率以及性能。应变硅技术已大规模应用于先进CMOS工艺中,同时......
学位
应变硅技术可以提升载流子的迁移率,是提高半导体器件性能的关键技术之一。自1990年代首次实现应变硅MOSFET以来,应变硅技术已被认......
随着智能终端的出现以及新型业务的迅猛发展,网络中的信息流量一直处于爆炸式增长中,作为移动网络、互联网以及物联网的物理承载层......
利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均......
本文分析了SOI技术国内外发展动向，结合我国的实际情况，提出了研究、开发SOI技术的两方面内容：8-12英寸SOI圆片产业化；SOI基应变硅技术......
本文以硅锗缓冲双轴应变硅材料为研究对象，采用显微拉曼光谱技术，开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验力学分析。首先......
<正>This paper describes an analytical model for bulk electron mobility in strained-Si layers as a function of strain.Ph......
基于费密金色的统治和 Boltzmann 碰撞术语近似的理论，散布拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的机制的洞被建立包括电离杂质，散布的声学的......
为一只 strained-Si metal-oxide-semiconductor 地效果晶体管(MOSFET ) 的次于最低限度的电流的一个分析模型被解决开发二维(2D )......
紧张技术是改进洞活动性和互补金属氧化物半导体设备性能的一个有效方法。在拉紧的 Si (001 ) 的四角形的紧张导致洞活动性改进被......
Longitudinal, transverse, density-of-states, and conductivity masses of electrons in （001）, （101） an
在这研究，电子有效群众，包括纵，横向， density-of-states 和传导性有效群众，系统地被调查了在(001 ) ，，并且((101 ) ，并且(111 ) biaxially......
...
Penetration depth at various Raman excitation wavelengths and stress model for Raman spectrum in bia
The carrier mobility of Si material can be enhanced under strain,and the stress magnitude can be measured by the Raman s......
应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一。本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)......
动态频率和电压调整,时钟门控以及“低功耗模式”是目前用以降低芯片和微控制器功耗的一些方法,更加新的方法正在完成之中。把数目......
研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根......
研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响,并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比,器件......
双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;〈100〉沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应......
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器......
分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,......
本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上......
小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅M......
本文利用减压化学气相沉积技术,制备出应变硅/Si0.85Ge0.15/组分渐变SiGe/Si衬底结构.通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度,以及适当......
该文对影响光纤强度的各种工艺因素进行了深入研究。在此基础上建立了一整套较完整的大长度高强度光纤工艺规范。并研制出长度达７．７３４ｋｍ的......
基于应变硅的金属氧化物场效应晶体管是下一代CMOS技术非常有希望的候选者并且在65nm技术中已经开始应用。对于电子迁移率在这些异......
应变硅具有载流子迁移率高,能带结构可调,与传统工艺兼容,对器件性能提升明显等特点而备受关注。通过缩短器件特征尺寸以提升器件......
学位
CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺一贯能给半导体业带来惊喜.CMOS价格下跌而速度增加,这种局面主要有利于数字IC设计者.数字IC设计......
电子厂商正步步逼近以物理学为首的基础研究领域.把基础研究领域新发现的材料和现象第一时间实用化是厂商们的目标.从半导体行业中......
为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系......
本文分析了微电子新技术Strained-SOI MOS器件的基本结构,讨论了用注氧隔离的方法制备器件的方法与步骤,阐述了Strained-SOI MOS器......
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NM......
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布.沟道压应变是利用......
期刊
应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础.基于密度泛函理论框架的第一......
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化......
在分析(111)Si基应变材料[应变Si/(111)Si1-xGex、应变Si1-xGex/(111)si]能带结构的基础上,获得了其态密度有效质量与应力及温度的......
期刊
成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底......
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NM......
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最......
...
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道NMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si NMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器......
通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量......
应用减压化学气相沉积技术，在弛豫Si0．7Ge0．3层／组分渐变Si1-xGex层／Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料，其中组分渐变Si1-......
